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全职职位

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210-功率半导体器件设计工程师

发布日期:2023-09-15

210-功率半导体器件设计工程师

科研团队

直流研究中心

岗位职责

     1.从事大功率半导体器件机理研究、芯片设计相关工作;

     2.负责大功率半导体器件失效机理和性能调控方法研究工作;

     3.负责芯片新型结构设计、参数优化、性能仿真、工艺参数仿真、版图设计工作;

     4.配合工艺研发和流片相关工作。

任职要求

     1.国内外正规全日制大学硕士及以上学历,电气工程、微纳电子、材料物理与化学等相关专业;

     2.熟悉功率半导体器件(如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等)工作原理;

     3.熟练运用Sentaurus、Silvaco等半导体设计仿真软件、熟悉半导体制造工艺者优先;

     4.大学英语CET-6级或相当水平以上,有良好的英文基础,能够流利阅读英文文献;

     5.勤奋、主动性优,具有团队协作意识,工作认真,责任心强,具有较强的解决问题能力和交流沟通能力。

职位编号

210

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