211-功率半导体工艺研发工程师

科研团队

直流研究中心

岗位职责

     1.从事大功率半导体芯片工艺设计、流片相关工作；

     2.负责半导体光刻、注入、扩散、刻蚀、CVD、合金等核心工艺开发，优化工艺参数，改良工艺窗口；

     3.参与先进工艺研发项目，进行工艺整合与流程优化，提升器件性能；

     4.开展缺陷检测与失效分析工作，分析工艺异常原因，解决工艺异常，确保研发制造任务正常进行；

     5.推进工艺流片进度，配合进程管理与工艺质量体系建设等。

任职要求

     1.国内外正规全日制大学硕士及以上学历，电气工程、微纳电子、材料物理与化学等相关专业；

     2.熟悉功率半导体器件（如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理；熟悉半导体单项工艺与工艺整合；

     3.大学英语CET-6级或相当水平以上，有良好的英文基础，能够流利阅读英文文献；

     4.勤奋、主动性优，具有团队协作意识，工作认真，责任心强，具有较强的解决问题能力和交流沟通能力。

职位编号

211

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